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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2004-10-15
Journal:光电子.激光yqk 勾引
Included Journals:Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD
香蕉视频丝瓜在线观看Volume:15
Issue:10
Page Number:1162-1165，1180
ISSN No.:1005-0086
Key Words:中频溅射;Yb3+/Er3+共掺;光致发光光谱;退火
Abstract:用中频孪生靶溅射法在硅片上制备了镱铒共掺氧化铝薄膜(2 cm×2 cm)，在室温下检测到薄膜的位于1 535 nm的很强的光致发光光谱(PL)yqk 勾引，参谋了泵浦功率、镱铒共掺比例、退火温度对光致发光光谱强度的影响.扫描电镜(SEM)不雅察分析标明，中频孪生靶溅射法千里积的薄膜综合、均匀、光学劣势少.履行成果标明:镱铒共掺薄膜的荧光强度不随泵浦功率的加多而实足，最好的镱铒共掺杂比例9∶1，最好退火温度850 ℃，对各式履行成果给出了表面的评释.
